Tehokas Snapdragon 8 Gen 1 -piiri julkaistiin

Qualcomm on julkistanut uuden huippupiirin seuraavan sukupolven Android-laitteisiin. Aiemman ilmoituksen mukaisesti piiri käyttää uudenlaista nimeä, joka on Snapdragon 8 Gen 1. Edellisen tehopiirin nimi on Snapdragon 888, joka nähtiin useissa laitteissa vuoden 2021 aikana.

Luonnollisesti uusi piiri nostaa jälleen suorituskykyä. Qualcommin mukaan sitä on kertynyt 20 prosenttia enemmän edeltään verratessa.

Tehoa tuottaa Armv9-tekniikkaan pohjautuvat ytimet. Piirissä on yksi erittäin tehokas ydin eli Cortex-X2, jonka kellotaajuus yltää 3.0 GHz:iin. Kolme Cortex-A710-ydintä rullaavat 2.5GHz:n kellotaajuudella ja lisäksi löytyy neljä energiatehokasta Cortex-A510-ydintä 1.8GHz:n kellotaajuudella.

Vastaavanlainen setti löytyy myös tuoreesta MediaTekin Dimensity 9000 -piiristä.

Snapdragon 8 Gen 1 perustuu 4 nanometrin prosessiin, kun 888 perustuu 5 nanometrin prosessiin. Tämän myötä uuden piirin pitäisi olla energiatehokkaampi vanhaan verratessa.

Myös grafiikoiden osalta suorituskykyä on nostettu. Qualcomm lupaa jopa 30 prosentin kasvua.

Snapdragon 888:n suurin ongelma on ylikuumeneminen, joten monet laitteet lämpenevät paljon käytössä ja tämä on myös vaikuttanut akunkestoon. Mielenkiintoista onkin nähdä, saadaanko lämmöt tällä kertaa pidettyä kurissa.

Suorituskyvyn lisäksi uusi piiri parantaa kuvausominaisuuksia. Snapdragon 8 Gen 1 mahdollistaa 108 megapikselin kuvien ottamisen ilman suljinviivettä ja myös hämäräkuvaus on aiempaa parempaa.

Parannusta ovat saaneet myös AI-suorituskyky ja langattomat yhteydet. Lisäksi piiri tukee Snapdragon Sound -ääniominaisuuksia, kuten aptX Lossless -tekniikkaa.

Qualcomm kertoo, että Snapdragon 8 Gen 1 -piiriä tulevat käyttämään ainakin Black Shark, Honor, iQOO, Motorola, Nubia, OnePlus, OPPO, Realme, Redmi, SHARP, Sony Corporation, vivo, Xiaomi ja ZTE. Ensimmäisen piiri tullaan näkemään Xiaomin 12 -sarjan puhelimissa, joka julkaistaan joulukuun aikana.