Vuotaneiden tietojen perusteella Snapdragon 835 -pohjaisella laitteella saavutetaan Geekbench 4 -testissä tulokset 1844 ja 5426 pistettä (single-core, multi-core). Järjestelmätietojen mukaan testi suoritettiin Essential FIH-PM1 -nimisellä laitteella, joka voi olla ohjelmisto- ja laitekehittäjille tarkoitettu kehitysalusta eikä varsinaisesti mikään kaupallinen tuote.
Näin ollen tulokset eivät anna välttämättä oikeaa kuvaa Snapdragon 835:n lopullisesta suorituskyvystä, vaikka tiedot olisivatkin aitoja. Piiriä tai sillä suoritettavan ohjelman koodia ei ole välttämättä optimoitu tai kehitysalustan suunnittelussa on voitu ottaa vapauksia, jotka eivät ole mahdollisia oikeassa tuotteessa.
Applen iPhone 7 saavuttaa Geekbench 4:n single-core-testissä 3294 pistettä ja multi-core-testissä 5360 pistettä. Galaxy S7:n pisteet samoissa testeissä on vastaavasti 1784 ja 5201. Snapdragon 835 ei siis näyttäisi tuovan mitenkään mahdottoman suurta suorituskyvyllistä parannusta, vaikka se onkin valmistettu 10 nanometrin tekniikalla.
Kommentoi artikkelia